Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
27S191DM/B	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	27S191DM/B
IS61WV204816BLL-10BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
SST39SF020A-70-4I-NHE	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC
TE28F008BVT90	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	8M-BIT FLASH MEM, PARALLEL
CY7C0853V-100BBI	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	DUAL-PORT SRAM, 256KX36, 5NS
DS1230AB-100+	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	5000	- + консультация	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
AT25DL081-SSHN-B	Dialog Semiconductor GmbH	5000	- + консультация	IC FLASH 8MBIT SPI 100MHZ 8SOIC
TE28F008BET120	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	8M-BIT FLASH MEM, PARALLEL
8403607JA	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	2K X 8 CMOS RAM
MR2A08AYS35	Everspin Technologies Inc.	5000	- + консультация	IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
SST39VF200A-70-4C-EKE	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
MT58L512L18PS-10	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP
CY10E484-5KCQ	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 4KX4, 4NS, ECL10K
DS1230Y-70+	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	5000	- + консультация	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
SST39VF040-70-4C-NHE	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
CY14B101Q3-SFXI8	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	NON-VOLATILE SRAM
X28C010NMB-15	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	EEPROM, 128KX8, 150NS, PARALLEL,
DS1230Y-100+	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	5000	- + консультация	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
23LC512-I/P	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8DIP
MWS5101AEL2	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	256X4-BIT STANDARD SRAM