Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
R1LV0408CSB-5SC#D0	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 512KX8
IS25WP016D-JKLE	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON
STK14D88-NF45	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC
IS61NLP51236B-200B3LI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
R1LV0408DSB-7LR#S0	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
MX25L6433FM2I-08G	Macronix	5000	- + консультация	IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP
STK14D88-RF45	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	NON-VOLATILE SRAM, 32KX8, 45NS P
M48Z35-70PC1	STMicroelectronics	5000	- + консультация	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28PCDIP
R1LV0408CSB-5UI#D0	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 512KX8
GD25Q128ESIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	5000	- + консультация	128MBIT NOR FLASH /3.3V /SOP8 20
FM25VN05-G	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	MEMORY CIRCUIT, 64KX8, CMOS
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
R1LV0408DSB-5SR#B0	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
SST26WF080BT-104I/NP	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON
MT58L32L32DT-6	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
R1LV0416DSB-7LI#B0	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 256KX16, 70NS
IS25WP032D-JBLE	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
ASFC4G31M-51BIN	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	NAND, 4G, BGA 153 (11.5 X 13MM)
M48Z08-100PC1	STMicroelectronics	5000	- + консультация	IC NVSRAM 64KBIT PAR 28PCDIP