Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
CY7C1051H30-10BVXI	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC SRAM 8MBIT ASYNC 48BGA
AS4C1G8D3LA-10BCN	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
SST39SF040-70-4C-NHE	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
CY7C1356A-100AI	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 9M BI
MD27C64-25/B	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	MD27C64-25/B
AS6C6416-55TIN	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
24LC512-I/MF	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN
MT58L64L18PT-7.5	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
0418A81XLAA-4	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	8MBIT (512K X 18) SRAM
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
24AA512-I/MF	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN
CY7C1354A-200BGC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	ZBT SRAM, 256KX36, 3.2NS
UPD44644362AF5-E40-FQ1	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	72-MBIT DDR II SRAM
AS4C512M16D3LB-12BIN	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
SST39SF040-55-4C-NHE	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
CY7C131-30JI	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	DUAL-PORT SRAM, 1KX8, 30NS
UPD44645184AF5-E33-FQ1	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	72-MB DDR II+ SRAM (2M X 36-BIT)
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
SST39SF040-55-4I-NHE	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
X28HC64JZ-15	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	EEPROM, 8KX8, 150NS, PARALLEL