Транзисторы - FET, MOSFET - RF - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
MRFE6S9045GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
BLF1043,135	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
MRF8S9100HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 70V 920MHZ NI-780S
BLD6G22L-50,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
BLF2043,135	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C
BLF3G22-30,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A
BLF278/01,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
BLF6G20-180RN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A
BLF6G20LS-180RN:11	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B
MRF6V10250HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 100V 1.09GHZ NI780S
MRF6S19100GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 68V 1.99GHZ TO-270-2 GW
MRF7S35120HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S
BLF6G20LS-180RN,11	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B
BLF6G22S-45,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608B
MRF7S16150HR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.66GHZ NI-780
MRF7S16150HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
MRF7S18170HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S
MRF6S19060GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW
MRF7S16150HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S