Транзисторы - FET, MOSFET - RF - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
BLF6G10-135RN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A
PD84008S-E	STMicroelectronics	5000	- + консультация	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PTVA123501ECV2R0XTMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IC AMP RF LDMOS H-36248-2
BLF6G10-200RN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
BLF6G10LS-160RN:11	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
BLF6G22-180RN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
BLF6G22LS-180RN,11	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
BLF6G20-180PN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A
MRF6VP41KHR7	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230
STAC2932B	STMicroelectronics	5000	- + консультация	TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B
BLF6G27LS-135,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
BLF6G27-75,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V SOT502A
MMBFJ304	Fairchild/ON Semiconductor	5000	- + консультация	JFET N-CH 30V 15MA SOT23
BLF6G27LS-75,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V SOT502B
BLF6G27LS-75,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V SOT502B
BLF6G22LS-180RN:11	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
MD7P19130HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780HS-4
MRF6S19200HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 66V 1.99GHZ NI780S
MRF6S21190HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 68V 2.17GHZ NI880S
MRF6S21190HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 68V 2.17GHZ NI880S