Транзисторы - БТИЗ - Модули - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
VS-GB75DA120UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	MODULE IGBT SOT-227
VS-GT100DA120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
VS-GT100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
VS-GT100DA60U	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 600V 184A 577W SOT-227
VS-GB70LA60UF	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 600V 111A 447W SOT-227
VS-GT75NP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
VS-GT100LA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
VS-GT400TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
QID1210007	Powerex Inc.	5000	- + консультация	MOD IGBT 1200V 100A
QID1210006	Powerex Inc.	5000	- + консультация	MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC
VS-GT100NA120UX	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 600V 480A 830W
QID1215003	Powerex Inc.	5000	- + консультация	MOD IGBT 1200V 105A
QID1210005	Powerex Inc.	5000	- + консультация	MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 600V 220A 780W
FZ1200R33KL2CB5NOSA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
FT150R12KE3G_B4	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1
FZ1200R33KL2CNOSA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
FP100R06KE3_B16	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IGBT FP100R06KE3B16BOSA1
FD1200R17KE3KB2NOSA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IGBT MODULE 1700V 1200A