Транзисторы - FET, MOSFET - Single - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
IPD12CN10NGBUMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
IPD096N08N3GBTMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
IPD26N06S2L35ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD25CNE8N G	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
IPD15N06S2L64ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
IPD160N04LGBTMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
IPD170N04NGBTMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
IPD25N06S240ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
IPD16CN10N G	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
IPD30N06S223ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IPD49CN10N G	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
IPD30N03S2L07ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD12CNE8N G	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
IPD50N06S214ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
IPD80N06S3-09	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPD50R520CP	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
IPD64CN10N G	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
IPI037N06L3GHKSA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IPI028N08N3GHKSA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
IPD50N06S2L13ATMA1	Infineon Technologies	5000	- + консультация	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3