Транзисторы - FET, MOSFET - RF - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
MRF7S21150HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
BLF8G22LS-200GV,12	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
A2T18S162W31SR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	IC TRANS RF LDMOS
A2T18S162W31GSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	IC TRANS RF LDMOS
A2T18S160W31SR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	IC TRANS RF LDMOS
A2T18S160W31GSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	IC TRANS RF LDMOS
MRF8P23160WHSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4
MRF8S9220HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 70V 960MHZ NI780S
MRF8S18210WHSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2
MRF8S18210WGHSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS
A2T21S260-12SR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	IC TRANS RF LDMOS
BLF7G27L-150P,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
BLF7G27LS-150P,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B
MRF6V4300NR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 110V 450MHZ TO-270-4
BLF7G10LS-250,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
BLF7G27LS-140,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
BLF7G27L-140,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
BLF8G20LS-260A,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B
BLF7G10L-250,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
BLF8G10LS-270V,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B