Транзисторы - FET, MOSFET - RF - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
BLP8G05S-200GY	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042
MRF8HP21080HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4
PD57070S-E	STMicroelectronics	5000	- + консультация	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
MRF8P26080HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
PD85025C	STMicroelectronics	5000	- + консультация	FET RF 40V 945MHZ M243
BLF6G15L-40BRN,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
MRF8S21100HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
BLF7G24LS-100,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
MRF8S21120HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS
BLF6G15LS-40RN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT1135B
SD57030	STMicroelectronics	5000	- + консультация	FET RF 65V 945MHZ M243
BLF6G15L-40BRN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
MRF8S9102NR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 70V 920MHZ OM780-2
MMRF2007NR1	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 70V 940MHZ
MRF8P20100HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
BLF8G22LS-140J	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
BLF2425M9LS30J	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B
BLF2425M9L30J	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A
MRF8S18120HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
MMRF1018NR1	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 120V 860MHZ