Транзисторы - FET, MOSFET - RF - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
BLF7G21L-160P,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
BLF6G22L-40BN,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A
BLC6G27-100,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET 28V SOT895A
BLF6G22L-40BN,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A
BLF7G24L-140,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
BLF7G22L-250P,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
BLF7G21L-160P,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
BLF7G22L-160,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
BLF6G27LS-50BN,112	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
BLF7G27L-150P,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
BLF6G27L-40P,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
MRF8P20140WHR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
BLF7G24L-140,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
MRF8P20165WHR5	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
BLF6G27LS-50BN,118	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
BLF6G22L-40P,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A
BLF6G22L-40P,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A
BLF6G27L-40P,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + консультация	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
BLF8G22L-160BV,118	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	TRANSISTOR CDFM6
MRFE6VP8600HSR6	NXP USA Inc.	5000	- + консультация	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S