Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
MT29F2G08ABAEAH4:E TR	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
IS62WV5128BLL-55HLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I
CAT25080YI-G-ON	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
AT34C02-10TI-2.7	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
48L256T-I/SN	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EERAM 256KBIT SPI 66MHZ 8SOIC
IS25LP512M-RMLE	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
SMJ61CD16SA-25JDM	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 16KX1
W9751G6NB-25	Winbond Electronics	5000	- + консультация	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84VFBGA
IS61LV5128AL-10TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
CAT25010VE-GT3	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
93C46/SM	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	1K BIT MICROWIRE SERIAL EEPROM
MB85RS64TPN-G-AMEWE1	Kaga FEI America, Inc.	5000	- + консультация	IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
AS4C32M16SB-7TCNTR	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
CY7C265-25WC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	UVPROM, 8KX8, 15NS, CMOS, CDIP28
M24M02-DWMN3TP/K	STMicroelectronics	5000	- + консультация	IC EEPROM 2MBIT I2C 1MHZ 8SO
W632GG6NB-12 TR	Winbond Electronics	5000	- + консультация	IC DRAM 2GBIT SSTL 15 96VFBGA
FM93C46TM8X	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	EEPROM, 64X16, SERIAL, CMOS
NM25C020LEMT8	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	EEPROM, 256X8, SERIAL, CMOS
S25FL132K0XNFB040	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8USON
MT41K128M16JT-125 XIT:K	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA