Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
MT53E512M64D2NW-046 WT:B	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168FBGA
CG8614AAT	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC USB PERIPHERAL FULL SPEED
1820023	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC GATE NOR
IS61LF102418A-7.5B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
70V261S25PFG	Renesas Electronics America Inc	5000	- + консультация	IC SRAM
IS42S32200L-7BI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS42S32400F-7BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
MT53E1G64D4SP-046 WT:C	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC MEMORY DRAM 64G 1GX64 BGA
W631GG6MB-11 TR	Winbond Electronics	5000	- + консультация	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96VFBGA
CG8621AM	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC PSOC4
1832512094403	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC GATE NOR
IS61LF51236A-6.5B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
70V24S55PFGI	Renesas Electronics America Inc	5000	- + консультация	IC SRAM
IS42S32200L-7B-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
IS42S32800G-7BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	5000	- + консультация	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
MT53D1G64D8SQ-046 WT:E TR	Micron Technology Inc.	5000	- + консультация	IC MEMORY DRAM LPDDR4
W631GG6MB-12 TR	Winbond Electronics	5000	- + консультация	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96VFBGA
CG8622AM	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC PSOC4
2220533	Cypress Semiconductor Corp	5000	- + консультация	IC GATE NOR