Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
27S191AJC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	27S191AJC
MT58L512Y32DT-10	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	CACHE SRAM, 512KX32, 5NS PQFP100
CAT24AA16TDI-GT3	onsemi	5000	- + консультация	IC EEPROM 16KBIT I2C TSOT23-5
24AA16T-I/OT	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 16KBIT I2C SOT23-5
24FC04-E/P	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP
M29F800FT55N3E2	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
HN27C4001G10	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	UV EPROM, 512KX8, 100NS
N25Q032A13ESC40F	Alliance Memory, Inc.	5000	- + консультация	IC FLASH 32MBIT SPI 108MHZ 8SO
AF008GEC5A-2001A3	ATP Electronics, Inc.	5000	- + консультация	IC FLASH 8GBIT EMMC 153BGA
MT55L512Y32PT-6	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
AT25SF041B-SSHB-B	Dialog Semiconductor GmbH	5000	- + консультация	IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC
11AA160T-I/TT	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE SOT23
93LC86CT-I/SN	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC
CY7C1347B-133BGCT	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	CACHE SRAM, 128KX36, 4NS
HN27C4096AG10	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	UV EPROM, 256KX16, 100NS
BR24A64F-WME2	Rohm Semiconductor	5000	- + консультация	IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8SOP
2102-1N	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	SRAM, 1KX1, 500NS, MOS, PDIP16
MT55L512Y36PT-6	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
M24C16-DRMF3TG/K	STMicroelectronics	5000	- + консультация	IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8MLP
24AA16HT-I/OT	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 16KBIT I2C SOT23-5