Память - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
100422FC10	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	100422 - 256 X 4 BIT SRAM
CY7C197-25VC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 256KX1, 25NS
UPD44325364BF5-E40-FQ1	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
SMJ61CD16SA-45JDM	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 16KX1
CY62256LL-70ZRI	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS
HN58C1001RFPI15E	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	PARALLEL EEPROM 128KWORD X 8-BIT
AT25512N-SH-T	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
AM29DL323DT-90WDIT	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	NOR FLASH, 2MX16, 90NS
MT58L128L32F1F-10	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165FBGA
CY7C168A-20PC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 4KX4, 20NS, CMOS
UPD44325184BF5-E40-FQ1-A	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
FEMC016GBG-T340	Flexxon Pte Ltd	5000	- + консультация	IC FLASH 128GBIT EMMC 153FBGA
CY7C199CN-20VC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 32KX8, 20NS
HM28100TTI5SEZ	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	STANDARD SRAM, 1MX8, 55NS, CMOS,
AT25512-TH-T	Microchip Technology	5000	- + консультация	IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
CY7C1347D-166AC	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	CACHE SRAM, 128KX36, 3.5NS
ER2051/P	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	512 BIT ELECTRICALLY ALTERABLE R
CY7C1325B-100AI	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	CACHE SRAM, 256KX18, 8NS
UPD44324185BF5-E33-FQ1-A	Rochester Electronics, LLC	5000	- + консультация	DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS
AF016GEC5X-2001A3	ATP Electronics, Inc.	5000	- + консультация	IC FLASH 16GBIT EMMC 153BGA