Дискретные полупроводниковые продукты - Шэньчжэнь Синьхуо Будущая технология Co., Ltd

модель	марка	запасы	количество	описание
MUBW35-12A8	IXYS	5000	- + консультация	MODULE IGBT CBI E3
MUBW40-12T7	IXYS	5000	- + консультация	MODULE IGBT CBI E2
CM75DU-24F	Powerex Inc.	5000	- + консультация	IGBT MOD DUAL 1200V 75A F SER
APTGT200SK120G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT 1200V 280A 890W SP6
VS-150MT060WDF	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	DIODE GEN PURP
APTGT300DA60G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT 600V 430A 1150W SP6
MIXA60W1200TED	IXYS	5000	- + консультация	IGBT MODULE 1200V 60A
APTGT300SK60G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT 600V 430A 1150W SP6
APTGT200DH60G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
APTGT200DA120G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT 1200V 280A 890W SP6
APTGT75TA60PG	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P
APTGT75TDU60PG	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P
APTGT75H120TG	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
VS-GB75TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK
MIXA225RF1200TSF	IXYS	5000	- + консультация	IGBT MODULE 1200V 250A
DDB6U180N16RR	Infineon Technologies	5000	- + консультация	IGBT DDB6U180N16RRBPSA1
CM150DU-12F	Powerex Inc.	5000	- + консультация	IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER
APTGT150SK170G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT 1700V 250A 890W SP6
VS-GB150TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	5000	- + консультация	IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
APTGT150DA170G	Microsemi Corporation	5000	- + консультация	IGBT 1700V 250A 890W SP6